在目前全球的芯片制造产业中，除了台积电、格罗方德、三星、英特尔拥有先进的生产技术，以其强大的生产能力可以生产先进逻辑运算芯片之外，爱美科（IMEC）则是在晶圆制造领域中技术研发领先的单位。
因此，继日前台积电与南韩三星陆续透露其在5纳米先进制程的布局情况外，爱美科也在上周宣布了一项新的技术，制造了全球最小的SRAM芯片，其芯片面积比之前的产品缩小了24%，未来将可适用于先进的5纳米制程技术上。
事实上，由于结构简单等因素，使得每一代新制程中的研发人员往往都会使用SRAM芯片进行测试。结果就是谁造出的SRAM芯片核心面积更小，就意味着制程技术越先进。
此前的纪录，是三星在2018年2月份的国际会议上宣布，期刊发出的6T 256Mb SRAM芯片，面积只有0.026mm2。不过，爱美科上周联合Unisantis公司开发的新一代6T 256Mb SRAM芯片打破了这个纪录，核心面积只有0.0184 mm2到0.0205mm2，相比三星的SRAM微缩了24%。
爱美科表示，面积能大幅缩小的原因，就在于使用了新的晶体管结构。Unisantis与爱美科使用的是Unisantis所开发的垂直型环绕栅极（Surrounding Gate Transistor，SGT）结构，最小栅极距只有50nm。
这样的水平，与标准型GAA晶体管相比，垂直型SGT单元GAA晶体管面积能够缩小20%到30%，同时在工作电压、漏电流及稳定性上表现更佳。
目前爱美科正与Unisantis公司一起定制新制程的关键制程流程及步骤，预计透过一种新的制程协同优化DTCO技术，研发人员就能使用50nm间距制造出0.0205 mm2的SRAM单元，而未来该制程也能够适用5纳米制程的节点。此外，该制程技术还能使用EUV极紫外光刻技术，减少制程步骤，这使得设计成本与传统FinFET制程相当。
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