近日，“集成电路产业链协同创新发展成果交流会”在北京召开，集成电路产业技术创新战略联盟在会上颁发了集成电路产业技术创新战略联盟创新奖。共有来自集成电路设计、制造、封测、装备、材料和零部件等35个团队和个人，获得技术创新奖、成果产业化奖、产业链合作奖以及产业创新突出贡献奖等四类30个奖项。
该奖项由集成电路产业联盟设立，经由联盟理事、咨询委员会专家以及国家重大专项总体组专家的综合评估后选出。上海获奖企业及个人如下表所示。
获奖单位
获奖团队/个人
获奖项目
一、技术创新奖
上海华力微电子有限公司
55纳米SONOS嵌入式闪存技术开发团队
55纳米SONOS嵌入式闪存技术
中微半导体设备（上海）有限公司
中微介质刻蚀设备研发团队
7纳米介质刻蚀设备
安集微电子科技（上海）有限公司
28纳米抛光液产品技术团队
28nm集成电路用铜及铜阻挡层化学机械抛光液
二、成果产业化奖
澜起科技（上海）有限公司
低功耗DDR系列内存缓冲控制器芯片设计与产业化团队
低功耗DDR系列内存缓冲控制器
中芯国际集成电路制造有限公司
中芯国际（北京、上海）40nm低功耗工艺量产团队
40nm低功耗工艺
盛美半导体设备有限公司
SAPS兆声波单片清洗技术研发团队
兆声波单片清洗机
三、产业链合作奖
中芯国际集成电路制造有限公司
中芯国际产业链国产化团队
65-28nm了国产设备和材料的验证与应用
上海华虹宏力半导体制造有限公司
华虹宏力国产化项目推进小组
国产集成电路材料量产应用
四、产业创新突出贡献奖
澜起科技（上海）有限公司
杨崇和
中芯国际集成电路制造有限公司
赵海军
中微半导体设备（上海）有限公司
尹志尧
会员企业中，澜起科技（上海）有限公司杨崇和、中芯国际集成电路制造有限公司联席CEO赵海军、中微半导体设备（上海）有限公司董事长尹志尧荣获“产业创新突出贡献奖”。
杨崇和博士带领团队自主研发的DDR系列内存缓冲控制器芯片突破了一系列关键技术，整体技术达到了国际领先水平。该系列芯片已进入全球高端服务器生态链。系列芯片已累计实现销售收入数十亿元，其中最新的DDR4内存缓冲控制器芯片全球市场占有率约50%，2016年1月，杨崇和博士代表澜起科技，与英特尔和清华大学展开合作，联合研发津逮服务器CPU平台，为实现国产服务器CPU的安全可控做出贡献。
赵海军博士，中芯国际联合首席执行官。多年来始终坚持创新和改革，领导公司实现了65纳米到28纳米多个工艺技术节点产品从完成研发到稳定量产的快速转换。在我可不卧槽那个多年调整发展的同时，也有力志支撑了国内集成电路设计产业的快速发展。赵海军博士还热心关注集成电路全产业链的协同发展，为我国集成电路产业链的快速发展做出了重要贡献。
中微半导体设备（上海）有限公司董事长尹志尧博士回国创业十四年来，率领团队坚持自主创新，坚持国际化的竞争，成功开发了一系列具有世界先进水平、获得国际市场认可的等离子体刻蚀设备，已进入7纳米生产线。同时，成功开发的制造蓝光LED的MOCVD设备也实现了市场的突破。尹志尧博士非常重视知识产权保护，公司在十多年的专利战中一直处于优势地位。他还热心关注集成电路全行业的发展，积极向有关部门建言献策，对产业发展起到了重要推动作用。
